半導体デバイスの微細化により、ウェハ上に設計図通りにパターンを形成することが困難になっています。 このため、図１のように、LSIの設計図中のパターンによっては製造時に高い確率で欠陥を生じる場合があります。 このようなパターンをホットスポットと呼びます。 最先端のLSIにおいては設計の段階でホットスポットを検出し、欠陥を生じにくいパターンへと修正することが必要不可欠です。 本研究では、このホットスポットを高精度かつ短時間に検出するための画像認識技術を確立することを目指しています。